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電力技術
互感器設備特性儀
時間：2023-03-09
中試控股技術研究院魯工為您講解： 互感器設備特性儀
ZSCTP-220P變頻互感器綜合特性測試儀
參考標準：GB20840.1，GB20840.2，GB20840.3
試驗接線和方法如圖1-2～圖1-6和表1-1所示。
圖1-2 末端加壓法測量接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-3 末端加壓法測量對剩余二次繞組端部tanδ的接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-4 末端屏蔽法：電壓互感器底座接地測量一次對二次繞組的試驗接線(測出Ca及tanδa)
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-5 末端屏蔽法：電壓互感器底座對地絕緣測量一次對支架與二次繞組并聯的試驗接線(測出Cb及tanδb)
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-6 末端屏蔽法直接測量支架tanδ接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-7 常規法(反接線)接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
b) 絕緣支架tanδ和電容的測量。由于支架的電容量很小(一般為10pF～25pF)，因此按圖1-6直接法測量的靈敏度很低，在強電場干擾下往往不易測準，建議使用間接法，按圖1-4和圖1-5兩次測量后，用式(1)計算出絕緣支架的電容Cc和介質損耗因數tanδc，即：
Cc=Cb﹣Ca
tanδc=(Cbtanδb﹣Catanδa)/(Cb﹣Ca) (1)
式中：
Ca及tanδa——按圖1-4接線測量的一次對二次繞組的電容及介損值；
Cb及tanδb——按圖1-5接線測量的一次對支架與二次繞組并聯的電容及介損值。
ZSCTP-220P變頻互感器綜合特性測試儀
參考標準：GB20840.1，GB20840.2，GB20840.3
ZSCTP-220P變頻互感器綜合特性測試儀（精度0.05%）是由本中試控股在廣泛聽取用戶意見、經過大量的市場調研、深入進行理論研究之后研發的新一代的電流、電壓互感器測試儀器。裝置采用高性能DSP和ARM、先進的制造工藝。用于保護類電流互感器（CT）及電壓互感器（PT）多種參數的高精度測量。滿足各類CT（如：保護類、計量類、TP類）的勵磁特性（即伏安特性）、變比、極性、二次繞組電阻、二次負荷、比差以及角差等測試要求，滿足各類PT電磁單元的勵磁特性、變比、極性、二次繞組電阻、比差以及角差等測試。可實現一鍵完成CT直阻、勵磁、變比和極性測試功能，自動化程度高、穩定可靠，在國內處于領先水平。
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ZSCPT-220P變頻互感器綜合特性測試儀（精度0.05%）功能介紹
1、功能全面，既滿足各類CT（如：保護類、計量類、TP類）的勵磁特性（即伏安特性）、變比、極性、二次繞組電阻、二次負荷、比差以及角差等測試要求，又可用于各類PT電磁單元的勵磁特性、變比、極性、二次繞組電阻、比差以及角差等測試。
2、自動給出拐點電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準確限值系數（ALF）、儀表保安系數（FS）、二次時間常數(Ts)、剩磁系數(Kr)、飽和及不飽和電感等CT、PT參數。
3、測試滿足GB20840.1，GB20840.2 GB20840.3等各類互感器標準，并依照互感器類型和級別自動選擇何種標準進行測試。
4、基于先進的低頻法測試原理，能應對拐點高達45KV的CT測試。
5、界面友好美觀，全中文圖形界面。
6、裝置可存儲2000組測試數據，掉電不丟失。試驗完畢后用U盤存入PC機，用軟件進行數據分析，并生成WORD報告。
7、測試簡單方便，一鍵完成CT直阻、勵磁、變比和極性測試，而且除了負荷測試外，CT其他各項測試都是采用同一種接線方式。
8、易于攜帶，裝置重量<9Kg
ZSCPT-220P變頻互感器綜合特性測試儀（精度0.05%）技術特點
1、低頻法測試CT/PT勵磁曲線和10%/5%誤差曲線
2、電壓法測試CT/PT變比、極性，CT角差、比差
3、適用于各類CT/PT的測試（含套管CT、暫態CT、GIS組合CT）
4、自動記錄飽和磁滯曲線
5、CT二次外回路負荷
6、支持多通道擴展箱
7、支持150A外接升流器，通流加量、變比驗證
8、5.7”圖形透反式LCD，陽光下可視
9、采用旋轉光電鼠標操作，面板自帶打印機
10、裝置可存儲3000組測試數據，掉電不丟失
11、測試方便，輕小便攜，僅重9kg
ZSCPT-220P變頻互感器綜合特性測試儀（精度0.05%）技術參數
輸出電壓：0~180V (RMS)
輸出電流：0~12A(RMS)，峰值36A
電壓測量：準確度±0.05%
CT變比測量范圍：1~30000
PT變比測量范圍：1~10000
變比測量準確度：±0.05%
相位測量：準確度±2’，分辨率： 0.2’
二次繞組電阻測量：范圍 0.1~300Ω，分辨率：0.1mΩ
升流電流輸出：0~150A
輸入電源電壓：AC220V±20%，50HZ
工作條件：溫度 -10℃~50℃， 濕度 ≤90%
ZSCPT-220P變頻互感器綜合特性測試儀（精度0.05%）時功能全面，既滿足各類CT（如：保護類、計量類、TP類）的勵磁特性（即伏安特性）、變比、極性、二次繞組電阻、二次負荷、比差以及角差等測試要求，又可用于各類PT電磁單元的勵磁特性、變比、極性、二次繞組電阻、比差以及角差等測試。
ZSCPT-220P變頻互感器綜合特性測試儀（精度0.05%）
電流互感器二次回路兩點接地對繼電保護裝置的影響
電流二次回路兩點接地的影響電力系統的安全運行的一個非常重要的保證就是公共回路。在電力系統的日常運行過程中，根據相關規定，電流互感器公共回路的一個電氣連接必須要具備一個可靠的接地點，這樣才能夠對人員的人身安全和二次設備的安全進行保證。與此同時，還要求二次回路只能有一點接地，這樣才能夠保證繼電保護和自動裝置的正確工作。但是在變電站實際運行中，公共回路連接比較多的設備，并且能夠延伸的范圍也是比較廣的，經常會出現連接錯誤的現象，導致在一個電氣連接的二次回路中出現兩點接地的現象，絕緣損壞是導致該現象的主要原因之一，因為電流二次回路大部分在室外，所以絕緣損壞發生的可能性非常大。當系統發生故障，地電網各點間有電流差時，將會有電流從兩個接地點間流過，在電流二次回路產生電流下降，就會導致電流二次電壓的準確性受到影響，導致電流二次回路兩點接地的現象，最終導致大面積的停電事故。為了對接地的可靠性進行保證，嚴禁將電流互感器中的中性線與有可能斷開的開關或者接觸器進行連接，從而避免電壓互 感器二次回路兩點的電位差經兩中線與控制室形成閉合回路的現象，在每根中性線上產生附加的電位差，影響保搞裝置的正確動作。
圖1-2 末端加壓法測量接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-3 末端加壓法測量對剩余二次繞組端部tanδ的接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-4 末端屏蔽法：電壓互感器底座接地測量一次對二次繞組的試驗接線(測出Ca及tanδa)
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-5 末端屏蔽法：電壓互感器底座對地絕緣測量一次對支架與二次繞組并聯的試驗接線(測出Cb及tanδb)
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-6 末端屏蔽法直接測量支架tanδ接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
圖1-7 常規法(反接線)接線
AX——高壓繞組端子；ax——二次繞組端子；aDxD——剩余二次繞組端子；Cx——電容電橋端子
E——電橋接地端子；R4——電橋固定電阻；C4——電橋可調電容；Cn——標準電容；R3——電橋可調電阻
b) 絕緣支架tanδ和電容的測量。由于支架的電容量很小(一般為10pF～25pF)，因此按圖1-6直接法測量的靈敏度很低，在強電場干擾下往往不易測準，建議使用間接法，按圖1-4和圖1-5兩次測量后，用式(1)計算出絕緣支架的電容Cc和介質損耗因數tanδc，即：
Cc=Cb﹣Ca
tanδc=(Cbtanδb﹣Catanδa)/(Cb﹣Ca) (1)
式中：
Ca及tanδa——按圖1-4接線測量的一次對二次繞組的電容及介損值；
Cb及tanδb——按圖1-5接線測量的一次對支架與二次繞組并聯的電容及介損值。
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